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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
49
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3073
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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