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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
49
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3359
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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