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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
49
Por volta de -158% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
19
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
17.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3855
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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