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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
49
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
2951
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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