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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
49
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
14.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3418
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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