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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.4
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
17.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3963
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
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SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
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