RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
99
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
10
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
99
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
6.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
1358
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link