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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
49
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
10
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
36
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
2332
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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