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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
49
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
14.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3393
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
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