RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3217
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link