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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
49
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
17.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3963
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
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