RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
49
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
25
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
18.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
4046
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link