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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
49
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
2034
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
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