RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
15.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3400
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link