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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
31
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
31
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
11.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3132
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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