RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
15.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3666
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link