RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.2
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
26
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
21.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
16.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3755
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link