RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
24
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2353
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link