RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
27
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
22
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2947
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link