RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
15.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3831
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link