RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
27
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
17
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
22.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
16.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3704
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link