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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
27
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
22
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2709
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Mushkin 994052 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
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