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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
45
Por volta de 40% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
45
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2723
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
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