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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
46
Por volta de 41% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
46
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
9.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2632
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
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