RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
55
Por volta de 51% menor latência
Razões a considerar
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
55
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2239
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link