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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs AMD R748G2400S2S 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
AMD R748G2400S2S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
135
Por volta de 69% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R748G2400S2S 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
135
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1359
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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