RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2466
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link