RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
42
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3428
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link