RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.7
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
20.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
17.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
4048
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link