RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
42
Por volta de -83% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
22.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
20.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
4421
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link