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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2179
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
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