RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
42
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
33
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2697
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston ACR512X64D3U16C11G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link