RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
42
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
33
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2824
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link