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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
42
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2641
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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