RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
42
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
37
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1878
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link