RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
62
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
62
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1586
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link