RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
42
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
18
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2422
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link