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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Comparar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,072.7
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
75
Por volta de -188% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
14.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3705
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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