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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Comparar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,072.7
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
75
Por volta de -159% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
29
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
15.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3567
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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