RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Comparar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
75
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
2,072.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
39
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
9.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
1881
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link