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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
65
Por volta de -141% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
1,574.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,858.9
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,574.4
16.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
607
3784
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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