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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
65
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
1,574.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,858.9
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,574.4
11.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
607
1847
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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