RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
65
Por volta de -160% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,574.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,858.9
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,574.4
11.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
607
2931
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link