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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
65
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,574.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,858.9
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,574.4
10.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
607
2423
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
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