RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
65
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,574.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,858.9
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,574.4
11.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
607
2973
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB Comparações de RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link