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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
63
74
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
2,201.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
63
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
1863
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
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