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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
74
Por volta de -270% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
20
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3471
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
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