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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
74
Por volta de -236% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2809
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
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