RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
74
Por volta de -111% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2664
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link