RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
13.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
74
Por volta de -100% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
37
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2836
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link